Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 da in diesem Bereich noch

da in diesem Bereich noch keine umfangreichen Ergebnisse vorliegen und eine Konkretisierung zu Referenzmodellen vorgenommen werden sollte

soll eine Beschränkung auf einige ausgewählte Aspekte erfolgen

so ist sie heute so vital und faszinierend wie nie zuvor

das sie kurz darauf enttäuscht und verzweifelt wieder verlässt

bedarf es der Analyse verschiedenster Faktoren

Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche formatIsbn:Softcover - 9783838613222 da in diesem Bereich nochInhaltsangabe: Problemstellung: In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflchen von III V Halbleitern in zunehmendem Mae mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberflchen mssen beim Transport durch die Atmosphre vor Verunreinigungen und Oxidation geschtzt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. [1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE Kammer mit einem dicken Film